《微纳电子技术》（CN：13-1314/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。

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技术论坛、材料与结构、MEMS与传感器、加工、测量与设备

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年度被引次数报告 (学术成果产出及被引变化趋势)

• Sn掺杂ZnO纳米结构湿度传感器的制备与特性

  首先采用水热法制备了四种不同Sn掺杂量的一维Zn1-xSnxO纳米结构材料,然后通过介电泳纳米操控技术将制备的四种纳米结构排布到预先设计的Ti/Au电极之间,进而构建四种湿度传感器,并进行传感特性测试。通过对四种传感结构的测试结果分析发现,采用原子数分数为3%的Sn掺杂ZnO纳米材料构建的传感器具有较好的传感特性,相对湿度在11.3%-97.3%内其最大...

  作者：匡旭良; 叶子; 孙宁; 宋小军; 刘伟景 刊期： 2019年第02期

• 不同尺寸金纳米颗粒的制备及其SERS性能

  为了研究不同尺寸的金纳米颗粒作为表面增强喇曼散射(SERS)活性基底对表面增强喇曼光谱的影响,采用氯金酸作为金源,柠檬酸三钠作为还原剂及保护剂,通过控制柠檬酸三钠的加入量合成了不同尺寸的金纳米颗粒。通过扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见分光光度计(UV-vis)等技术对金纳米颗粒进行了性质表征。利用喇曼光谱仪,以罗丹明B作为被检测探针,研究...

  作者：蒋浩; 张霞; 李立松; 李龙; 杨文思 刊期： 2019年第02期

• n型异质结背接触太阳电池前表面的场钝化

  利用Silvaco-TCAD仿真软件建立二维模型,对n型异质结背接触(HBC)单晶硅太阳电池前表面场进行模拟研究。通过在n型单晶硅衬底正面分别引入一层较薄的本征非晶硅层和一层n^+非晶硅层对电池前表面进行高质量的场钝化,分析了n^+非晶硅层的厚度和掺杂浓度以及本征非晶硅层的厚度和带隙宽度对电池电学性能的影响。模拟结果表明:当n+非晶硅层厚度小于6 ...

  作者：高嘉庆; 宋志成; 郭永刚; 屈小勇; 张天杰 刊期： 2019年第02期

• 具有场限环终端的6500V 4H-SiC结势垒肖特基二极管的研制

  阐述了6 500 V4H-SiC结势垒肖特基(JBS)二极管的设计、仿真和制备过程,并对流片结果进行了测试,分析了测试结果与仿真结果差异的原因。通过仿真对比分析了漂移区厚度、掺杂浓度、有源区p+区和场限环终端参数对器件电学特性的影响,数值模拟优化了器件元胞和终端结构的漂移区、有源区和场限环的结构参数。根据模拟结果,4H-SiC漂移区掺杂浓度为1.08...

  作者：李嘉琳; 桑玲; 郑柳; 田丽欣; 张文婷 刊期： 2019年第02期

• MEMS智能传感器技术的新进展(续)

  3.智能温度传感器 智能温度传感器的温度传感单元具有包含MEMS结构的多种类型,如MEMS谐振器、BJT、CMOS、热敏电阻和光纤等,广泛应用于生物信号提取、环境监测和芯片内的过热保护等方面。智能温度传感器的设计必须考虑各种要求的差异,如分辨率、精度、微调点的数量、面积、转换时间和能源效率。在不同的应用中需要强调的问题是不同的。例如,高温...

  作者：赵正平 刊期： 2019年第02期